AUIRLR2905ZTRL Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Verpackung: Tape & Reel (TR)
Teilestatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 55 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 42A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 110W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252AA (DPAK)
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: AUIRLR2905