AUIRFS8409-7P Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Verpackung: Tube
Teilestatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 240A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 375W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D2PAK (7-Lead)
Verpackung / Koffer: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basisproduktnummer: AUIRF8409