BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Verpackung: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Teilestatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 400 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 170mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT223-4
Verpackung / Koffer: TO-261-4, TO-261AA
Basisproduktnummer: BSP324