IPP65R095C7XKSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??C7
Verpackung: Tube
Teilestatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 128W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: IPP65R095