NP20P06SLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Verpackung: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Teilestatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252 (MP-3ZK)
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: NP20P06