IPB65R090CFD7ATMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CFD7
Verpackung: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Teilestatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 127W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO263-3
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basisproduktnummer: IPB65R