IRFR120PBF-BE3 Vishay Siliconix Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: -
Verpackung: Tube
Teilestatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7.7A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252AA
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: IRFR120