IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS®-P2
Verpackung: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Teilestatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 90A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 137W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO252-3-11
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: IPD90