VS-GT75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division IGBT-Module

Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie: -
Paket: Box
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Konfiguration: Full Bridge
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 118 A
Leistung – Max.: 431 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100 µA
Eingang: Standard
NTC-Thermistor: Yes
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: -