VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division IGBT-Module

Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie: -
Paket: Box
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Konfiguration: Half Bridge Inverter
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 96 A
Leistung – Max.: 259 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50 µA
Eingang: Standard
NTC-Thermistor: No
Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: INT-A-PAK IGBT