RJP65T43DPQ-A0#T2 Renesas Electronics Corporation Einzelne IGBTs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Leistung – Max.: 150 W
Schaltenergie: 170µJ (on), 130µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 69 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 35ns/105ns
Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247A
Basisproduktnummer: RJP65T43