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RJH65T04BDPMA0#T2F Renesas Electronics Corporation Einzelne IGBTs

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Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Leistung – Max.: 65 W
Schaltenergie: 360µJ (on), 350µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 74 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 35ns/125ns
Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 80 ns
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: SC-94
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3PFP
Basisproduktnummer: RJH65T04

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