STGYA120M65DF2 STMicroelectronics Einzelne IGBTs

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: M
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 160 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 360 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 120A
Leistung – Max.: 625 W
Schaltenergie: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 420 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 66ns/185ns
Testbedingung: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 202 ns
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3 Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten: MAX247??