RGS80TSX2GC11 Rohm Semiconductor Einzelne IGBTs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Leistung – Max.: 555 W
Schaltenergie: 3mJ (on), 3.1mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 104 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 49ns/199ns
Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247N
Basisproduktnummer: RGS80