RGTVX2TS65DGC11 Rohm Semiconductor Einzelne IGBTs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Not For New Designs
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 111 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Leistung – Max.: 319 W
Schaltenergie: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 123 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 49ns/150ns
Testbedingung: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247N