RGWS80TS65DGC13 Rohm Semiconductor Einzelne IGBTs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 71 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Leistung – Max.: 202 W
Schaltenergie: 700µJ (on), 660µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 83 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 40ns/114ns
Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 88 ns
Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247G
Basisproduktnummer: RGWS80