GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne IGBTs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: -
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1350 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A
Leistung – Max.: 348 W
Schaltenergie: -, 1.3mJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 270 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: -
Testbedingung: 300V, 60A, 39Ohm, 15V
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247