WG50N65DHJQ WeEn Semiconductors Einzelne IGBTs

Hersteller: WeEn Semiconductors
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 91 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Leistung – Max.: 278 W
Schaltenergie: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 160 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 66ns/163ns
Testbedingung: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 105 ns
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-3
Basisproduktnummer: WG50N65D