RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor Einzelne IGBTs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 12 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Leistung – Max.: 65 W
Schaltenergie: -
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 13.5 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 17ns/69ns
Testbedingung: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Sperrverzögerungszeit (trr): 40 ns
Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten: TO-262
Basisproduktnummer: RGT8NS65