APT15GP60BDQ1G Microchip Technology Einzelne IGBTs

Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: PT
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 56 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 65 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
Leistung – Max.: 250 W
Schaltenergie: 130µJ (on), 120µJ (off)
Eingabetyp: Standard
Gate-Ladung: 55 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C: 8ns/29ns
Testbedingung: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247 [B]
Basisproduktnummer: APT15GP60