GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne IGBTs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tray
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: -
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1000 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Leistung – Max.: 156 W
Schaltenergie: -
Eingabetyp: Standard
Td (ein/aus) bei 25 °C: -
Testbedingung: -
Sperrverzögerungszeit (trr): 800 ns
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P(N)