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2N5115E3 Microchip Technology JFETs

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Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS): 30 V
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id: 3 V @ 1 nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Widerstand - RDS(Ein): 100 Ohms
Leistung – Max.: 500 mW
Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-18 (TO-206AA)
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