NTE2018 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: 8 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 350mA, 500A
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
Leistung – Max.: 1W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -20°C~85°C(TA)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: 18-DIP (0.300\ 7.62mm)
Gerätepaket des Lieferanten: 18-PDIP