PEMX1,315 NXP USA Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

Hersteller: NXP USA Inc.
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: 2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Leistung – Max.: 300mW
Frequenz - Übergang: 100MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-666