HBDM60V600X-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP (H-Bridge)
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, 500mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, 80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA, 500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, 50nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Leistung – Max.: 200mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -55°C~150°C
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-363