PBSS4230PANP,115 NXP USA Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

Hersteller: NXP USA Inc.
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Leistung – Max.: 510mW
Frequenz - Übergang: 120MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-UFDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten: 6-HUSON (2x2)