HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Cut Tape (CT)
Produktstatus: Active
Transistortyp: 2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Leistung – Max.: 300mW
Frequenz - Übergang: 800MHz
Betriebstemperatur: 125°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SC-74, SOT-457
Gerätepaket des Lieferanten: SM6
Basisproduktnummer: HN1C01