RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays vorgespannt

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Cut Tape (CT)
Produktstatus: Active
Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V
Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang: 250MHz
Leistung – Max.: 300mW
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SC-74A, SOT-753
Gerätepaket des Lieferanten: SMV
Basisproduktnummer: RN1503