BCR183S Infineon Technologies Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays vorgespannt

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V
Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang: 200MHz
Leistung – Max.: 250mW
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT23-3-11