NTE319P NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V
Frequenz - Übergang: 500MHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 2.7dB @ 45MHz
Gewinnen: 29dB
Leistung – Max.: 625mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92