NTE295 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V
Frequenz - Übergang: 250MHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): -
Gewinnen: -
Leistung – Max.: 750mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-126