NTE313 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V
Frequenz - Übergang: 530MHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 2.5dB @ 200MHz
Gewinnen: 23dB
Leistung – Max.: 150mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 3-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten: 3-SMD