NTE235 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V
Frequenz - Übergang: 150MHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): -
Gewinnen: -
Leistung – Max.: 1.2W
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220