NTE160 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V
Frequenz - Übergang: 700MHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 5dB @ 800MHz
Gewinnen: 14dB
Leistung – Max.: 60mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10mA
Betriebstemperatur: 90°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-72