NTE316 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V
Frequenz - Übergang: 1.4GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Gewinnen: 15dB
Leistung – Max.: 200mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA
Betriebstemperatur: -
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-72