NTE16003 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V
Frequenz - Übergang: 500MHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): -
Gewinnen: -
Leistung – Max.: 11.6W
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Stud Mount
Verpackung / Koffer: TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud
Gerätepaket des Lieferanten: TO-60