NTE107 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V
Frequenz - Übergang: 2.1GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz
Gewinnen: -
Leistung – Max.: 200mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA
Betriebstemperatur: 100°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92