NTE65 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V
Frequenz - Übergang: 5GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gewinnen: 18dB
Leistung – Max.: 180mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 14mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA
Betriebstemperatur: -
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 3-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten: 3-SMD