NTE64 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V
Frequenz - Übergang: 4.5GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
Gewinnen: 12dB
Leistung – Max.: 375mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA
Betriebstemperatur: -
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 4-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten: 4-SMD