NTE161 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V
Frequenz - Übergang: 600MHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Gewinnen: 15dB
Leistung – Max.: 200mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-72