NTE329 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V
Frequenz - Übergang: -
Rauschmaß (dB Typ @ f): -
Gewinnen: 10dB
Leistung – Max.: 5W
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A
Betriebstemperatur: -
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-39