NTE23 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 14V
Frequenz - Übergang: 2GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz
Gewinnen: 15dB
Leistung – Max.: 250mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92