NTE69 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V
Frequenz - Übergang: 1.1GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): -
Gewinnen: -
Leistung – Max.: 350mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 4mA, 4V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92