MPSH17 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V
Frequenz - Übergang: 800MHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz
Gewinnen: 24dB
Leistung – Max.: 350mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): -
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92 (TO-226)