BFP182WE6327 Infineon Technologies Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V
Frequenz - Übergang: 8GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen: 22dB
Leistung – Max.: 250mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 35mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SC-82A, SOT-343
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT343-4