BFR949L3E6327 Infineon Technologies Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V
Frequenz - Übergang: 9GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
Gewinnen: 21.5dB
Leistung – Max.: 250mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SC-101, SOT-883
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TSLP-3-1