MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V
Frequenz - Übergang: 10GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gewinnen: 12.5dB
Leistung – Max.: 800mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 3-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten: UFM
Basisproduktnummer: MT3S111