NTE278 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V
Frequenz - Übergang: 1.2GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Gewinnen: 11dB
Leistung – Max.: 1W
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400mA
Betriebstemperatur: -
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-39