HSG1002VE-TL-E Renesas Electronics America Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V
Frequenz - Übergang: 38GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
Gewinnen: 8dB ~ 19.5dB
Leistung – Max.: 200mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 35mA
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 4-SMD, Gull Wing
Gerätepaket des Lieferanten: 4-MFPAK