NTE2634 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 95V
Frequenz - Übergang: 1.2GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): -
Gewinnen: -
Leistung – Max.: 3W
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-126